近日，SK海力士发表推出首款驳回第六代10纳米级（1c）工艺16Gb DDR5 DRAM的信息惹起了笔者的关注。依据SK海力士对外发布的信息显示，1c 16Gb DDR5 DRAM将关键面对AI数据核心市场，能够提供更高的性能和更低的能耗。在此之前，三星电子也对外宣称将于往年年底量产1c DRAM产品。那么，相比上一代的1b DRAM，1c DRAM有哪些技术上的长处？本文将重点引见。
何为1cDRAM？
1c DRAM（1Transistor - 1 Capacitor Dynamic Random Access Memory）是一种灵活随机存取存储器技术，它经常使用一个晶体管和一个电容器来存储数据。便捷来讲，1c就是一种DRM的制作工艺，即驳回第六代10纳米级工艺制作消费的DRAM芯片，包含DDR5、HBM等芯片。
在此之前，各大内存厂商将上一代DRAM芯片依照1X、1Y、1Z启开工艺区分，1X nm工艺相当于16-19nm制程工艺、1Y nm相当于14-16nm制程工艺，1Znm工艺相当于12-14nm制程工艺，1a、1b和1c则区分代表14-12nm、12-10nm以及10nm及以下制程工艺。
去年1月，SK海力士初次成功了10纳米级别第四代（1a）DDR5主机用DRAM，并取得英特尔的认证。同年5月，SK海力士成功了10纳米级别第五代（1b）DDR5，并再次进入英特尔数据核心的兼容性验证。三星电子现有的HBM3E产品关键基于1a DRAM。由于三星1b DRAM未能经过英伟达最新AI GPU（例如Hopper和Blackwell）的资历测试，这也象征着三星仍无法取得英伟达的HBM3E订单，迫使三星思考驳回更先进的1c DRAM来打造新一代的HBM4。
据韩媒报道，在下一代的HBM4内存开发上，韩国存储芯片大厂三星和SK海力士都将方案经常使用1c制程的DRAM。
1c DRAM有哪些技术长处
与上一代1b DRAM相比，1c DRAM在存储密度、性能和功耗方面都有清楚的技术长处。
存储密度： 1c DRAM技术驳回了更先进的制程工艺，使得存储单元的尺寸进一步增加，从而在相反面积的硅片上集成更多的存储单元，提高了存储密度。相比之下，1b DRAM技术只管也驳回了10纳米级别的工艺，但1c DRAM在微细化方面更进一步，提供了更高的存储密度。
性能： 1c DRAM技术在性能上也有所优化，例如SK海力士开发的1c DDR5 DRAM的运转速度为8Gbps，相比1b工艺的前一代产品速度提高了11%。这象征着1c DRAM能够提供更快的数据传输速度，关于高性能数据核心和AI计算运行尤为关键。
功耗： 随着技术的提高，1c DRAM在能效方面也有所改良，相比1b DRAM能够成功更高的能效比。SK海力士的1c DDR5 DRAM的能效提高了9%以上，这关于数据核心等须要少量存储资源的运行场景来说，可以清楚降落能耗老本。
只管1c DRAM在技术上有着清楚的长处，但是随着制程技术向更小的尺寸开展，1c DRAM在制作环节中或者会遇到更多的技术应战，如更高的工艺精度要求、更复杂的设计以及更严厉的热治理等。不过，由于性能、功耗、存储密度等方面有着愈加清楚的长处，因此1c DRAM技术被业界普遍看好，并方案宽泛运行于高性能计算、AI、数据核心以及移动设备等畛域。
综上所述，1c DRAM技术在存储密度、性能和功耗方面相比1b DRAM有所优化，但同时也面临着更多的技术应战。随着技术的不时开展和成熟，1cDRAM有望在未来的存储市场中施展更大的作用。
1c DRAM市场格式
生成式AI和大模型运行正在减速DRAM行业的技术开展和迭代速度。2024年，存储市场强势反弹，市场的复苏正好迎来1c DRAM产品推出期间，所以1c DRAM产品成为市场复苏后各家竞争关键。
目前来看，SK海力士和美光曾经量产1bDRAM，三星在研发1b DRAM的时刻遭到过阻碍，这让三星压力倍增。三星不时倡议在技术上上游于对方，为更好拉开与SK海力士和美光之间的差距，跳过1b nm DRAM研发将无利于其在下一阶段上游于竞争对手。当然，这与目前1b DRAM曾经被SK海力士和美光抢占了市场也有很大的相关。
截至到如今，SK海力士曾经发表推出首款驳回第六代10纳米级（1c）工艺16Gb DDR5DRAM产品，三星也发布了将在年底量产1c DRAM来打造新一代的HBM4。美光驳回极紫外光刻技术的1γDRAM（美光将1c DRAM称之为1γ DRAM）试产停顿顺利，并方案于2025年成功量产。
不难发现，目前三家DRAM厂商均在1cDRAM投入了少量的研发精神，且研发进度也比拟凑近，未来的走势和竞争趋向如何，还须要期间和机会的测验。